美光指出,為因應資料中心工作負載所需,CPU 內核數持續增加,為突破 「記憶體牆」 (Memory Wall) 瓶頸,同時為客戶提供最佳化的總擁有成本,對於記憶體頻寬及容量需求也隨之大幅提升。美光 1β DDR5 DRAM 可擴大運算能力,並以更高效能輔佐資料中心及客戶端平台,支援 AI 訓練及推論、生成式 AI、資料分析、記憶體資料庫等。全新 1β DDR5 DRAM 產品在現有模組化密度中,速率可達 4,800 MT/s 至 7,200MT/s,適用於資料中心及客戶端應用。
美光核心運算 DRAM 產品設計工程事業部企業副總裁 Brian Callaway 指出,量產 1β DDR5 DRAM 並提供給客戶及資料中心平台,是業界一大里程碑,在我們與生態系夥伴及客戶合作下,將加速高效能記憶體產品的普及。
美光 1β 技術協助提供更廣泛的記憶體解決方案,包括使用 16Gb/24Gb/32Gb DRAM 晶粒的DDR5 RDIMMs 和 MCRDIMMs、使用 16Gb/24Gb DRAM 晶粒的 LPDDR5X,以及 HBM3E 與 GDDR7。全新美光 16Gb DDR5 記憶體產品可透過直接銷售及通路夥伴提供。
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